熱點資訊
聯系方式
- 手機：181-4585-5552
- 電話：0755-82965240
- Q Q：277187808
- 郵箱：alan.liu@szhtt-china.cn
- 地址：深圳市龍華區民治街道民治社區金華大廈1504
國產DRAM內存芯片和三星的技術差距是幾年？
作者：admin 發布時間：2024-02-23 09:13:18 點擊量：
國產DRAM內存芯片和三星的技術差距大約是5年。
具體來說，三星和SK海力士計劃在年底前投產第五代10nm級（1b或者說12nm）內存芯片，而國產DRAM代表企業合肥長鑫今年的打算是第二代10nm（1y或者說16/17nm）。
一般而言，DRAM每一代的演進時間是2年到2年半。按照正常節奏，國產內存芯片有機會進一步縮短與三星的技術差距。然而，目前一個比較棘手的問題是，三星和SK海力士已經引入了EUV（極紫外光刻）設備用于生產更先進的DRAM芯片，而國產企業暫時還無法獲取這一設備。
推薦產品 MORE+
推薦新聞 MORE+
- 二輪車鋰電保護板 電動車的最佳伴侶2025-10-30
- 氮化鎵保護板過流炸管后會燒起來嗎?2025-10-29
- 三輪車鋰電保護板在物流運輸中的作用2025-10-28
- 家儲保護板家庭儲能理想之選2025-10-27
- 英諾賽科三年沖刺全球GaN功率器件領導者2025-10-24
- 二輪車鋰電保護板的技術創新與應用2025-10-23
